EPC - EPC2007

KEY Part #: K6406612

EPC2007 価格設定(USD) [1259個在庫]

  • 1,000 pcs$0.44013

品番:
EPC2007
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in EPC EPC2007 electronic components. EPC2007 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2007, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2007 製品の属性

品番 : EPC2007
メーカー : EPC
説明 : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1.2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.8nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 205pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die Outline (5-Solder Bar)
パッケージ/ケース : Die
あなたも興味があるかもしれません
  • IRFR3410TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.

  • IRFR1018ETRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.

  • IRLR024ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

  • TK40P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

  • TP0610K-T1

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

  • 2N7002E

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.