[12493個在庫]
- 品番:
- ZXMN3A02N8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TA electronic components. ZXMN3A02N8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3A02N8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN3A02N8TA 製品の属性
品番 :
ZXMN3A02N8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.56W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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