SSM6J215FE(TE85L,F 価格設定（USD） [603363個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET P CH 20V 3.4A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F electronic components. SSM6J215FE(TE85L,F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J215FE(TE85L,F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J215FE(TE85L,F 製品の属性
品番 :
SSM6J215FE(TE85L,F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
59 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
630pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
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