Infineon Technologies - IPD50R650CEBTMA1

KEY Part #: K6404270

[2070個在庫]


    品番:
    IPD50R650CEBTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50R650CEBTMA1 製品の属性

    品番 : IPD50R650CEBTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
    シリーズ : CoolMOS™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.1A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 13V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 1.8A, 13V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 150µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 342pF @ 100V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 47W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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