SCT2H12NZGC11 価格設定（USD） [14962個在庫]
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- 品番:
- SCT2H12NZGC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1700V 3.7A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11 electronic components. SCT2H12NZGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2H12NZGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2H12NZGC11 製品の属性
品番 :
SCT2H12NZGC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 900µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
184pF @ 800V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
35W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PFM
パッケージ/ケース :
TO-3PFM, SC-93-3
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