Vishay Siliconix - IRFD9020PBF

KEY Part #: K6406877

IRFD9020PBF 価格設定(USD) [58817個在庫]

  • 1 pcs$0.59788
  • 10 pcs$0.52890
  • 100 pcs$0.41802
  • 500 pcs$0.30667
  • 1,000 pcs$0.24211

品番:
IRFD9020PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD9020PBF electronic components. IRFD9020PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD9020PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9020PBF 製品の属性

品番 : IRFD9020PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 960mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 570pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6341-TL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

  • ZVNL120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3.

  • VN2410LZL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

  • VN2222LLRLRAG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • NDF06N60ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP.

  • NDF10N60ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.