STMicroelectronics - STD3NK80ZT4

KEY Part #: K6419740

STD3NK80ZT4 価格設定(USD) [128647個在庫]

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品番:
STD3NK80ZT4
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3NK80ZT4 製品の属性

品番 : STD3NK80ZT4
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
シリーズ : SuperMESH™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 485pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 70W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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