BSC010NE2LSIATMA1 価格設定（USD） [116263個在庫]
- 1 pcs$0.31813
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1 electronic components. BSC010NE2LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC010NE2LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC010NE2LSIATMA1 製品の属性
品番 :
BSC010NE2LSIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4200pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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