STI22NM60N 価格設定（USD） [17950個在庫]
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- 10 pcs$2.04837
- 品番:
- STI22NM60N
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STI22NM60N electronic components. STI22NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI22NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STI22NM60N 製品の属性
品番 :
STI22NM60N
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1330pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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