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- 品番:
- STB95N3LLH6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB95N3LLH6 electronic components. STB95N3LLH6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB95N3LLH6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB95N3LLH6 製品の属性
品番 :
STB95N3LLH6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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