[12419個在庫]
- 品番:
- STI12N65M5
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STI12N65M5 electronic components. STI12N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI12N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STI12N65M5 製品の属性
品番 :
STI12N65M5
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
シリーズ :
MDmesh™ V
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
430 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
900pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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