CSD23280F3T 価格設定（USD） [621818個在庫]
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- 250 pcs$0.05023
- 1,250 pcs$0.02326
- 品番:
- CSD23280F3T
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD23280F3T electronic components. CSD23280F3T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD23280F3T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD23280F3T 製品の属性
品番 :
CSD23280F3T
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
シリーズ :
FemtoFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
116 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
0.95V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.23nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
234pF @ 6V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PICOSTAR
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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