Infineon Technologies - IRFB4321PBF

KEY Part #: K6404421

IRFB4321PBF 価格設定(USD) [28253個在庫]

  • 1 pcs$1.45872
  • 10 pcs$1.31769
  • 100 pcs$1.00469
  • 500 pcs$0.78142
  • 1,000 pcs$0.64747

品番:
IRFB4321PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4321PBF electronic components. IRFB4321PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4321PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4321PBF 製品の属性

品番 : IRFB4321PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 85A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4460pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 350W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6355-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

  • AUIRLS3034-7P

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P.

  • AUIRLR3636

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 99A DPAK.

  • AUIRLR3915

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 61A DPAK.

  • AUIRLR3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • AUIRLR3110Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 63A DPAK.