Infineon Technologies - IRF6894MTRPBF

KEY Part #: K6419103

IRF6894MTRPBF 価格設定(USD) [91467個在庫]

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品番:
IRF6894MTRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6894MTRPBF 製品の属性

品番 : IRF6894MTRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 32A (Ta), 160A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4160pF @ 13V
FET機能 : Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) : 2.1W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MX

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