STMicroelectronics - STQ2HNK60ZR-AP

KEY Part #: K6416059

STQ2HNK60ZR-AP 価格設定(USD) [256826個在庫]

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品番:
STQ2HNK60ZR-AP
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ2HNK60ZR-AP 製品の属性

品番 : STQ2HNK60ZR-AP
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
シリーズ : SuperMESH™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 500mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 280pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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