IXYS - IXTT26N50P

KEY Part #: K6394815

IXTT26N50P 価格設定(USD) [17750個在庫]

  • 1 pcs$2.56677
  • 30 pcs$2.55400

品番:
IXTT26N50P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTT26N50P electronic components. IXTT26N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT26N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT26N50P 製品の属性

品番 : IXTT26N50P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
シリーズ : PolarHV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 26A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 400W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA