[1958個在庫]
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB023N06N3GATMA1 electronic components. IPB023N06N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB023N06N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB023N06N3GATMA1 製品の属性
品番 :
IPB023N06N3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
140A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 141µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
198nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
16000pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
214W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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