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- 品番:
- FQD16N15TM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQD16N15TM electronic components. FQD16N15TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD16N15TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD16N15TM 製品の属性
品番 :
FQD16N15TM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
160 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
910pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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