SPD03N50C3ATMA1 価格設定（USD） [154169個在庫]
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- 品番:
- SPD03N50C3ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPD03N50C3ATMA1 electronic components. SPD03N50C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD03N50C3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD03N50C3ATMA1 製品の属性
品番 :
SPD03N50C3ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 135µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
350pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
38W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3-1
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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