説明 :
FET 80V 10.0 MOHM PQFN33
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
11A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
10.9 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
31nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2135pF @ 40V
消費電力(最大) :
2.3W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3)