BSM180D12P2C101 価格設定（USD） [224個在庫]
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- 10 pcs$208.25769
- 品番:
- BSM180D12P2C101
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 electronic components. BSM180D12P2C101 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM180D12P2C101, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM180D12P2C101 製品の属性
品番 :
BSM180D12P2C101
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
204A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 35.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
23000pF @ 10V
パワー-最大 :
1130W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
-
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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