Infineon Technologies - IPW60R099P6XKSA1

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品番:
IPW60R099P6XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R099P6XKSA1 製品の属性

品番 : IPW60R099P6XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO247-3
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 37.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 99 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 1.21mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3330pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 278W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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