説明 :
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
36A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.1V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
30.4nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
660pF @ 600V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3