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Central Semiconductor Corp - CTLDM3590 TR

KEY Part #: K6416319

[36373個在庫]

    品番:
    CTLDM3590 TR
    メーカー:
    Central Semiconductor Corp
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM3590 TR electronic components. CTLDM3590 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM3590 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CTLDM3590 TR 製品の属性

    品番 : CTLDM3590 TR
    メーカー : Central Semiconductor Corp
    説明 : MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 160mA (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.2V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 100mA, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.46nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : 8V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 125mW (Ta)
    動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TLM3D6D8
    パッケージ/ケース : 3-XFDFN
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