Infineon Technologies - BSS192PH6327FTSA1

KEY Part #: K6416475

BSS192PH6327FTSA1 価格設定(USD) [363189個在庫]

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品番:
BSS192PH6327FTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS192PH6327FTSA1 製品の属性

品番 : BSS192PH6327FTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 190mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.8V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 130µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 104pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT89
パッケージ/ケース : TO-243AA