ON Semiconductor - NTMFS6H800NT1G

KEY Part #: K6397268

NTMFS6H800NT1G 価格設定(USD) [28162個在庫]

  • 1 pcs$1.46343

品番:
NTMFS6H800NT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRENCH 8 80V NFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS6H800NT1G electronic components. NTMFS6H800NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS6H800NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS6H800NT1G 製品の属性

品番 : NTMFS6H800NT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRENCH 8 80V NFET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A (Ta), 203A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 330µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5530pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRFR024N

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • R6015KNX

    Rohm Semiconductor

    NCH 600V 15A POWER MOSFET.

  • R6011KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM.

  • R6024KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM.

  • FDN339AN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3.

  • SIHG73N60AEL-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC.