Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J36MFV,L3F

KEY Part #: K6403830

[2222個在庫]


    品番:
    SSM3J36MFV,L3F
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J36MFV,L3F 製品の属性

    品番 : SSM3J36MFV,L3F
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
    シリーズ : U-MOSIII
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 330mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : -
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.2nC @ 4V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 43pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 150mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : VESM
    パッケージ/ケース : SOT-723

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