[8723個在庫]
- 品番:
- 5LN01C-TB-H
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 50V 100MA CP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 5LN01C-TB-H electronic components. 5LN01C-TB-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 5LN01C-TB-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
5LN01C-TB-H 製品の属性
品番 :
5LN01C-TB-H
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 50V 100MA CP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.57nC @ 10V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6.6pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-CP
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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