DMT6009LFG-13 価格設定（USD） [179158個在庫]
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- 品番:
- DMT6009LFG-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LFG-13 electronic components. DMT6009LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6009LFG-13 製品の属性
品番 :
DMT6009LFG-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1925pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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