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- 品番:
- RJM0603JSC-00#13
- 詳細な説明:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#13 electronic components. RJM0603JSC-00#13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJM0603JSC-00#13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJM0603JSC-00#13 製品の属性
品番 :
RJM0603JSC-00#13
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
43nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 10V
パワー-最大 :
54W
動作温度 :
175°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
20-HSOP
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