Vishay Siliconix - SI7415DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419805

SI7415DN-T1-GE3 価格設定(USD) [133988個在庫]

  • 1 pcs$0.27605
  • 3,000 pcs$0.23327

品番:
SI7415DN-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7415DN-T1-GE3 electronic components. SI7415DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7415DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7415DN-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7415DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.