Vishay Siliconix - SI4447ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6416913

SI4447ADY-T1-GE3 価格設定(USD) [367832個在庫]

  • 1 pcs$0.10056
  • 2,500 pcs$0.09462

品番:
SI4447ADY-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI4447ADY-T1-GE3 electronic components. SI4447ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4447ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4447ADY-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI4447ADY-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 970pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.