Diodes Incorporated - DMN24H11DSQ-7

KEY Part #: K6405369

DMN24H11DSQ-7 価格設定(USD) [467536個在庫]

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品番:
DMN24H11DSQ-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN24H11DSQ-7 製品の属性

品番 : DMN24H11DSQ-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 240V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 270mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 76.8pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 750mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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