SI8429DB-T1-E1 価格設定（USD） [202426個在庫]
- 1 pcs$0.18363
- 3,000 pcs$0.18272
- 品番:
- SI8429DB-T1-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 electronic components. SI8429DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8429DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8429DB-T1-E1 製品の属性
品番 :
SI8429DB-T1-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
800mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 5V
Vgs（最大） :
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1640pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Microfoot
パッケージ/ケース :
4-XFBGA, CSPBGA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3