Diodes Incorporated - DMT2004UFV-13

KEY Part #: K6394320

DMT2004UFV-13 価格設定(USD) [366090個在庫]

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品番:
DMT2004UFV-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT2004UFV-13 製品の属性

品番 : DMT2004UFV-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 24V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 70A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.45V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1683pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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