Toshiba Semiconductor and Storage - TK9J90E,S1E

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TK9J90E,S1E 価格設定(USD) [29408個在庫]

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品番:
TK9J90E,S1E
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9J90E,S1E 製品の属性

品番 : TK9J90E,S1E
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 900V TO-3PN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P(N)
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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