[3277個在庫]
- 品番:
- IXTD3N60P-2J
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTD3N60P-2J electronic components. IXTD3N60P-2J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTD3N60P-2J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTD3N60P-2J 製品の属性
品番 :
IXTD3N60P-2J
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600
シリーズ :
PolarHV™
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
411pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
パッケージ/ケース :
Die
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