ON Semiconductor - NTR3C21NZT3G

KEY Part #: K6392813

NTR3C21NZT3G 価格設定(USD) [977235個在庫]

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品番:
NTR3C21NZT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR3C21NZT3G 製品の属性

品番 : NTR3C21NZT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 24 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.8nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1540pF @ 16V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 470mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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