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ON Semiconductor - FDI33N25TU

KEY Part #: K6410160

[32個在庫]

    品番:
    FDI33N25TU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDI33N25TU electronic components. FDI33N25TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI33N25TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDI33N25TU 製品の属性

    品番 : FDI33N25TU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
    シリーズ : UniFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 250V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 33A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 94 mOhm @ 16.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2135pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 235W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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