Microsemi Corporation - APTM20UM03FAG

KEY Part #: K6396608

APTM20UM03FAG 価格設定(USD) [497個在庫]

  • 1 pcs$135.10913
  • 10 pcs$128.58487
  • 25 pcs$123.92611

品番:
APTM20UM03FAG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 580A SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM20UM03FAG electronic components. APTM20UM03FAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM20UM03FAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20UM03FAG 製品の属性

品番 : APTM20UM03FAG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 200V 580A SP6
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 580A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.6 mOhm @ 290A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 15mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 840nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 43300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2270W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6
パッケージ/ケース : SP6

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.