FCU600N65S3R0 価格設定（USD） [64496個在庫]
- 1 pcs$0.60625
- 品番:
- FCU600N65S3R0
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- SUPERFET3 650V IPAK PKG.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCU600N65S3R0 electronic components. FCU600N65S3R0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCU600N65S3R0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCU600N65S3R0 製品の属性
品番 :
FCU600N65S3R0
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
SUPERFET3 650V IPAK PKG
シリーズ :
SuperFET® III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 600µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
465pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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