IXYS - IXFX74N50P2

KEY Part #: K6406716

[1224個在庫]


    品番:
    IXFX74N50P2
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFX74N50P2 electronic components. IXFX74N50P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX74N50P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFX74N50P2 製品の属性

    品番 : IXFX74N50P2
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247
    シリーズ : HiPerFET™, PolarHV™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 74A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 77 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 165nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9900pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1400W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS247™-3
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.