IXYS - IXTA180N10T7

KEY Part #: K6417267

IXTA180N10T7 価格設定(USD) [28273個在庫]

  • 1 pcs$1.61137
  • 50 pcs$1.60335

品番:
IXTA180N10T7
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTA180N10T7 electronic components. IXTA180N10T7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA180N10T7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA180N10T7 製品の属性

品番 : IXTA180N10T7
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
シリーズ : TrenchMV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 151nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 480W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263-7 (IXTA..7)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.