SCTH90N65G2V-7 価格設定（USD） [1983個在庫]
- 1 pcs$21.84043
- 品番:
- SCTH90N65G2V-7
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 electronic components. SCTH90N65G2V-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTH90N65G2V-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCTH90N65G2V-7 製品の属性
品番 :
SCTH90N65G2V-7
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3300pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
330W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
H2PAK-7
パッケージ/ケース :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9C5R3-100EJ
- AON6758_103
- 2SK4066-DL-1EX
- IPB65R065C7ATMA1
- IXFN64N50PD2
- GP1M008A025FG
- AON6370_002
- AON6244
- NTD23N03RT4G
- IRL3715ZCSTRRP
- IPS20N03L G
- IPP07N03LB G
- BUZ31L
- BSS119 E6433
- IXTH30N50
- BS250PSTOB
- AO4430L_102
- NTZS3151PT1H
- NTMSD3P102R2
- IPD05N03LA G
- HUFA75343S3S
- IRLR2905TRR
- IRFR1N60ATR
- IPW60R075CPAFKSA1
- IRLU3103
- STD8NM60N
- STS9NF30L
- IPT043N15N5ATMA1
- AUIRF4905STRL
- IPB80N06S2L07ATMA3
- IRF6775MTRPBF
- PSMN6R9-100YSFQ
- IRF6892STRPBF
- IRF9Z34NSTRRPBF
- BUK663R5-30C,118
- SI5403DC-T1-GE3
- BSF035NE2LQXUMA1
- IRF7807VTRPBF
- SIR836DP-T1-GE3
- IPD50R650CEAUMA1