GA10SICP12-263 価格設定（USD） [3349個在庫]
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- 25 pcs$16.32929
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- 品番:
- GA10SICP12-263
- メーカー:
- GeneSiC Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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GA10SICP12-263 製品の属性
品番 :
GA10SICP12-263
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
-
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1403pF @ 800V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
170W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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