IXFR20N80P 価格設定（USD） [13146個在庫]
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- 30 pcs$3.44848
- 品番:
- IXFR20N80P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFR20N80P electronic components. IXFR20N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR20N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR20N80P 製品の属性
品番 :
IXFR20N80P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4680pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
166W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS247™
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