STMicroelectronics - STD7ANM60N

KEY Part #: K6419716

STD7ANM60N 価格設定(USD) [127496個在庫]

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品番:
STD7ANM60N
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD7ANM60N 製品の属性

品番 : STD7ANM60N
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V DPAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 363pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 45W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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