[4146個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE(TE85L,F) electronic components. SSM6N42FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N42FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N42FE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
SSM6N42FE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
800mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
90pF @ 10V
パワー-最大 :
150mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6 (1.6x1.6)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM90-09P
- AO8801AL
- AO4813L
- UPA2383T1P-E1-A#YW
- AO4614BL_DELTA
- IRF6723M2DTR1P
- GWM120-0075P3
- AO8810#A
- AO4842L
- QJD1210SA1
- VQ1006P-E3
- SI4618DY-T1-GE3
- SI7980DP-T1-E3
- SI6955ADQ-T1-GE3
- IRF6702M2DTRPBF
- SI3850ADV-T1-GE3
- IRF7350TRPBF
- CSD75211W1723
- NTLGD3502NT1G
- IRF8513TRPBF
- NTLJD3181PZTAG
- SI7872DP-T1-E3
- SI7842DP-T1-E3
- SI4906DY-T1-E3
- SI1563DH-T1-E3
- SI1025X-T1-E3
- VWM350-0075P
- NTJD1155LT1
- FDW2504P
- FDS3912
- IRF7530PBF
- IRF8915TR
- NTJD4001NT1
- NTHD5905T1
- IRF7756
- NVMFD5485NLT3G
- SIS903DN-T1-GE3
- IPG16N10S4L61AATMA1
- QS8J13TR
- BSL215CH6327XTSA1