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- 品番:
- NTLGD3502NT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTLGD3502NT1G electronic components. NTLGD3502NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLGD3502NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLGD3502NT1G 製品の属性
品番 :
NTLGD3502NT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.3A, 3.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
480pF @ 10V
パワー-最大 :
1.74W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-DFN (3x3)
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