説明 :
MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
4500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
900mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
85 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
6.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
40nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1730pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース :
i4-Pac™-5 (3 Leads)